针对半导体 CMP 抛光用硅溶胶杂质含量高、粒径分布不均、离子交换工艺成本高的问题（面向先进制程半导体芯片抛光需求），开展高选择性离子交换树脂筛选、粒径原位调控及工艺优化研究（突破低杂质富集、窄粒径分布控制、低成本离子交换核心技术），提供金属离子总量＜15ppb、粒径变异系数＜12%、单位生产成本降至 400 元 / 公斤以下的半导体级高纯度纳米二氧化硅（硅溶胶）产品及配套生产技术。
技术
半导体 CMP 抛光用硅溶胶杂质含量高、粒径分布不均、离子交换工艺成本高的问题（面向先进制程半导体芯片抛光需求）
高新技术领域： 电子信息及半导体材料
发布时间：2025-12-12 10:24:15
合作方式：与机构合作
技术成熟度：可以量产
需求内容简介
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